Conception et Réalisation De Transistors À Effet De Champ À 94 Ghz: Transistors Sur Substrat Inp Pour Amplification De Puissance en Bande W French edition

L?objectif de ce travail est la conception et la réalisation de transistors à effet de champ (TEC) sur substrat InP pour l?amplification de puissance en bande W. Le but est d?étudier les potentialités en puissance de différents TEC dans la filière InP à 94 GHz. La montée en fréquence requiert la diminution des dimensions du composant, ce qui est assurément défavorable à une bonne tenue en tension. Notre défi était de tenter d?élaborer des transistors capables de fonctionner à cette fréquence et possédant une tension de claquage élevée. Une structure à canal InAsP délivrant une fréquence de coupure de 140 GHz, une fréquence maximum d?oscillation de 430 GHz et un gain maximum disponible à 94 GHz de 13 dB avec une grille de 70 nm nous a permis d?atteindre l?état de l?art mondial en puissance à 94 GHz des HEMTs sur substrat InP.